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黄油是什么油,fl,松树-凯达密码-实用密码文本-权威业界消息

2019年05月16日 09:54:56     作者:admin     分类:最近大事件     阅读次数:264    

一般以为MOSFET是电压驱动的,不需求驱动电流。但是,在MOS的G S两级之间有结电容存在,这个电容会让驱动MOS变的不那么简略。



假如不考虑纹波和EMI等要求的话,MOS管开关速度越快越好,由于开关时刻越短,开关损耗越小,而在开关电源中开关损耗占总损耗的很大一部分,因而MOS管驱动电路的好坏直接决议了电源的功率。

关于一个MOS管,假如把GS之间的电压从0拉到管子的敞开电压所用的时刻越短,那么MOS管敞开的速度就会越快。与此相似,假如把MOS管的GS电压从敞开电压降到0V的时刻越短,那么MOS管关断的速度也就越快

由此咱们能够知道,假如想在更短的时刻内把GS电压拉高或许拉低,就要给MOS管栅极更大的瞬间驱动电流。

我们常用的PWM芯片输出直接驱动MOS或许用三极管扩大后再驱动MOS的办法,其实在瞬间驱动电流这块是有很大缺点的。

比较好的办法是运用专用的MOSFET驱动芯片如TC4420来驱动MOS管,这类的芯片一般有很大的瞬间输出电流,并且还兼容TTL电平输入,MOSFET驱动芯片的内部结构



MOS驱动电路规划需求留意的当地:

由于驱动线路走线会有寄生电感,而寄生电感和MOS管的结电容会组成一个LC振荡电路,假如直接把驱动芯片的输出端接到MOS管栅极的话,在PWM波的上升下降沿会发生很大的震动,导致MOS管急剧发热乃至爆破,一般的解决办法是在栅极串联10欧左右的电阻,下降LC振荡电路的Q值,使震动敏捷衰减掉。

由于MOS管栅极高输入阻抗的特性,一点点静电或许搅扰都或许导致MOS管误导通,所以主张在MOS管G S之间并联一个10K的电阻以下降输入阻抗

假如忧虑邻近功率线路上的搅扰耦合过来发生瞬间高压击穿MOS管的话,能够在GS之间再并联一个18V左右的TVS瞬态按捺二极管,TVS能够以为是一个反应速度很快的稳压管,其瞬间能够承受的功率高达几百至上千瓦,能够用来吸收瞬间的搅扰脉冲。

MOS管驱动电路参阅



MOS管驱动电路的布线规划

MOS管驱动线路的环路面积要尽或许小,不然或许会引进外来的电磁搅扰

驱动芯片的旁路电容要尽量接近驱动芯片的VCC和GND引脚,不然走线的电感会很大程度上影响芯片的瞬间输出电流。



常见的MOS管驱动波形



假如呈现了这样圆不溜秋的波形就等着核爆吧。有很大一部分时刻管子都作业在线性区,损耗极端巨大。

一般这种状况是布线太长电感太大,栅极电阻都救不了你,只能从头画板子。



高频振铃严峻的毁容方波。在上升下降沿震动严峻,这种状况管子一般瞬间死掉,跟上一个状况差不多,进线性区。原因也相似,主要是布线的问题。又胖又圆的肥猪波。上升下降沿极端缓慢,这是由于阻抗不匹配导致的。芯片驱动才能太差或许栅极电阻太大。

决断换大电流的驱动芯片,栅极电阻往小调调就OK了。

打肿脸充正弦的生于方波他们家的三角波。驱动电路阻抗超大发了。此乃管子必杀波。解决办法同上。



群众脸型,人见人爱的方波。凹凸电平清楚,电平这时候能够叫电平了,由于它平。边缘峻峭,开关速度快,损耗很小,略有震动,能够承受,管子进不了线性区,强迫症的话能够恰当调大栅极电阻。



方方正正的帅哥波,无振铃无尖峰无线性损耗的三无产品,这便是最完美的波形了。

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